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TSM080N03EPQ56 RLG /MOSFET 30V 55Amp 8mohm N channel Mosfet
TSM080N03EPQ56 RLG的规格信息
TSM080N03EPQ56 RLG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PDFN56-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:55 A

Rds On-漏源导通电阻:6.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:7.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:54 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

下降时间:8.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12.5 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27.6 ns

典型接通延迟时间:4.8 ns

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TSM080N03EPQ56 RLG的全球分销商及价格
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10:¥4.6104
100:¥3.4465
500:¥2.5312
2,500:¥1.7289
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